隨著應用程序的不斷增長，內(nèi)存被迫承擔著更大壓力。目前不管是服務(wù)器還是PC領(lǐng)域，DDR4內(nèi)存技術(shù)依舊是主流，由于DDR4采用并行傳輸，為保證并行數(shù)據(jù)能有效傳輸，必須在內(nèi)存條上下功夫。而在服務(wù)器領(lǐng)域，目前使用的內(nèi)存條類型(DIMM)主要有三種：UDIMM、RDIMM和LRDIMM。

UDIMM

UDIMM：全稱Unbuffered DIMM，即無緩沖雙列直插內(nèi)存模塊，指地址和控制信號不經(jīng)緩沖器，無需做任何時序調(diào)整，直接到達DIMM上的DRAM芯片。UDIMM由于在CPU和內(nèi)存之間沒有任何緩存，因此同頻率下延遲較小。

數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時，UDIMM需保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，這樣并行傳輸才有效，而這需要較高的制造工藝，因此UDIMM在容量和頻率上都較低。

 

RDIMM

RDIMM：全稱Registered DIMM，帶寄存器的雙列直插內(nèi)存模塊。RDIMM在內(nèi)存條上加了一個寄存器進行傳輸，其位于CPU和內(nèi)存顆粒之間，既減少了并行傳輸?shù)木嚯x，又保證并行傳輸?shù)挠行?。由于寄存器效率很高，因此相比UDIMM，RDIMM的容量和頻率更容易提高。

LRDIMM

LRDIMM：全稱Load Reduced DIMM，低負載雙列直插內(nèi)存模塊。相比RDIMM，LRDIMM并未使用復雜寄存器，只是簡單緩沖，緩沖降低了下層主板上的電力負載，但對內(nèi)存性能幾乎無影響。

此外，LRDIMM內(nèi)存將RDIMM內(nèi)存上的Register芯片改為iMB(isolation Memory Buffer)內(nèi)存隔離緩沖芯片，直接好處就是降低了內(nèi)存總線負載，進一步提升內(nèi)存支持容量。

區(qū)別與應用

UDIMM由于并未使用寄存器，無需緩沖，同等頻率下延遲較小。此外，UDIMM的另一優(yōu)點在于價格低廉。其缺點在于容量和頻率較低，容量大支持4GB，頻率大支持2133 MT/s。此外，由于UDIMM只能在Unbuffered 模式工作，不支持服務(wù)器內(nèi)存滿配(大容量)，無法大程度發(fā)揮服務(wù)器性能。在應用場景上，UDIMM不僅可用于服務(wù)器領(lǐng)域，同樣廣泛運用于桌面市場。

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而RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，較UDIMM更為穩(wěn)定，同時支持服務(wù)器內(nèi)存容量高容量。此外，RDIMM支持更高的容量和頻率，容量支持32GB，頻率支持 3200 MT/s 。缺點在于由于寄存器的使用，其延遲較高，同時加大了能耗，此外，價格也比UDIMM昂貴。因此，RDIMM主要用于服務(wù)器市場。

LRDIMM可以說是RDIMM的替代品，其一方面降低了內(nèi)存總線的負載和功耗，另一方面又提供了內(nèi)存的大支持容量，雖然其高頻率和RDIMM一樣，均為3200 MT/s，但在容量上提高到64GB。并且，相比RDIMM，Dual-Rank LRDIMM內(nèi)存功耗只有其50%。LRDIMM也同樣運于服務(wù)器領(lǐng)域，但其價格，較RDIMM也更貴些。

為更直觀了解三者區(qū)別，筆者在文章結(jié)尾簡單做了一個對比圖。

服務(wù)器內(nèi)存UDIMM與RDIMM的差別

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