晶片切割用超純水設(shè)備與混床離子交換設(shè)備屬于水處理系統(tǒng)中的精處理設(shè)備，下面將兩種設(shè)備在產(chǎn)水水質(zhì)、投資量及運(yùn)行成本方面進(jìn)行比較，來說明EDI裝置在水處理中應(yīng)用的優(yōu)越性。

1、產(chǎn)水水質(zhì)比較

EDI裝置是一個連續(xù)凈水過程，因此其產(chǎn)品水水質(zhì)穩(wěn)定，電阻率可達(dá)18.25MΩ·cm，達(dá)到超純水的指標(biāo)。混床離子交換設(shè)施的凈水過程是間斷式的，在剛剛被再生后，其產(chǎn)品水水質(zhì)較高，而在下次再生之前，其產(chǎn)品水水質(zhì)較差。

2、投資量比較

與混床離子交換設(shè)施相比EDI裝置投資量要高約20%左右，但從混床需要酸堿儲存、酸堿添加和廢水處理設(shè)施及后期維護(hù)、樹脂更換來看，兩者費(fèi)用相差在10%左右。隨著技術(shù)的提高與批量生產(chǎn)，EDI裝置所需的投資量會大大的降低。另外，EDI裝置設(shè)備小巧，所需廠房遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于混床。

3、運(yùn)行成本比較

EDI裝置運(yùn)行費(fèi)用包括電耗、水耗、藥劑費(fèi)及設(shè)備折舊等費(fèi)用，省去了酸堿消耗、再生用水、廢水處理和污水排放等費(fèi)用。

在電耗方面，EDI裝置約0.5kWh/t水，混床工藝約0.35kWh/t水，電耗的成本在電廠來說是比較經(jīng)濟(jì)的，可以用廠用電的價(jià)格核算。

在水耗方面，EDI裝置產(chǎn)水率高，不用再生用水，因此在此方面運(yùn)行費(fèi)用低于混床。

至于藥劑費(fèi)和設(shè)備折舊費(fèi)兩者相差不大。

總的來說，在運(yùn)行費(fèi)用中，EDI裝置噸水運(yùn)行成本在1.8元左右，常規(guī)混床噸水運(yùn)行成本在3.2元左右，高于EDI裝置。因此，EDI裝置多投資的費(fèi)用在1-2年內(nèi)完全可以回收。

當(dāng)前標(biāo)題：晶片切割用超純水設(shè)備與混床離子交換設(shè)備比較
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