隨著電子行業(yè)的日益迅速發(fā)展，集成電路的生產(chǎn)用水要求也越來(lái)越高。對(duì)集成電路的質(zhì)量要求越高，則水質(zhì)的要求相對(duì)來(lái)說(shuō)也就越嚴(yán)格。集成電路用超純水設(shè)備是根據(jù)電子行業(yè)的特殊要求設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的一款水處理設(shè)備，具有自動(dòng)化程度高、運(yùn)行穩(wěn)定、品質(zhì)有保證特點(diǎn),用戶可以根據(jù)自己實(shí)際的生產(chǎn)需要，調(diào)整設(shè)備的出水量。集成電路用超純水設(shè)備廣泛的應(yīng)用在大型工業(yè)、電子領(lǐng)域。

超純水設(shè)備

影響集成電路用超純水設(shè)備運(yùn)行的因素有：

1)、濁度、污染指數(shù)(SDI)的影響。

EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹(shù)脂，過(guò)高的濁度、污染指數(shù)會(huì)使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

2)、硬度的影響。

如果EDI中進(jìn)水的殘存硬度太高，會(huì)導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

3)、TOC(總有機(jī)碳)的影響。

進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過(guò)高，會(huì)造成樹(shù)脂和選擇透過(guò)性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

4)、Fe、Mn等金屬離子的影響。

Fe、Mn等金屬離子會(huì)造成樹(shù)脂的“中毒”。樹(shù)脂的金屬“中毒”會(huì)造成EDI出水水質(zhì)的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價(jià)屬對(duì)離子交換樹(shù)脂的氧化催化作用，會(huì)造成樹(shù)脂的永久性損傷。

5)、進(jìn)水中CO2的影響。

進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹(shù)脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

6)、總陰離子含量(TEA)的影響。

高的TEA將會(huì)降低EDI產(chǎn)水電阻率，或需要提高EDI運(yùn)行電流，而過(guò)高的運(yùn)行電流會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，余氯濃度增大，對(duì)極膜壽命不利。

7)、工作電壓-電流的影響。

工作電流增大，產(chǎn)水水質(zhì)不斷變好。但如果在增至高點(diǎn)后再增加電流，由于水電離產(chǎn)生的H+和OH-離子量過(guò)多，除用于再生樹(shù)脂外，大量富余離子充當(dāng)載流離子導(dǎo)電，同時(shí)由于大量載流離子移動(dòng)過(guò)程中發(fā)生積累和堵塞，甚至發(fā)生反擴(kuò)散，結(jié)果使產(chǎn)水水質(zhì)下降。

8)、EDI進(jìn)水電導(dǎo)率的影響。

在相同的操作電流范圍下，隨著原水電導(dǎo)率的增加EDI對(duì)弱電解質(zhì)的去除率減小，出水的電導(dǎo)率也增加。如果原水電導(dǎo)率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹(shù)脂和膜的表面上形成的電動(dòng)勢(shì)梯度也大，導(dǎo)致水的解離程度增強(qiáng)，極限電流增大，產(chǎn)生的H+和OH-的數(shù)量較多，使填充在淡室中的陰、陽(yáng)離子交換樹(shù)脂的再生效果良好。

本文標(biāo)題：影響集成電路用超純水設(shè)備運(yùn)行的因素有哪些？
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