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SRAM電路工作原理是什么-創(chuàng)新互聯(lián)

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近年來,片上存儲器發(fā)展迅速,根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS),隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發(fā)展,晶體管特征尺寸進一步縮小,半導(dǎo)體存儲器在片上存儲器上所占的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。
 
SRAM 寫操作。
寫操作就是把數(shù)據(jù)寫入指定的SRAM 存儲單元中。首先片選信號CEBB 置為低電平,讀控制電路開始運作。10 位寫地址線AB0-AB9、16位數(shù)據(jù)輸入DI0-DI15 準(zhǔn)備就緒,地址信號有效,系統(tǒng)開始譯碼、選擇要寫入的存儲單元以及需要寫入的數(shù)據(jù)。當(dāng)時鐘信號CKB 高電平到來時,CKB 信號控制譯碼電路完成最后的譯碼,行譯碼電路選中的那一行存儲單元寫字線WWL 將會打開;16 位數(shù)據(jù)經(jīng)過輸入輸出電路中的寫電路傳遞到寫字線BL 上,從而把數(shù)據(jù)寫入選中的存儲單元。
 
SRAM 讀操作。
讀操作即是把SRAM 陣列中指定單元中存儲的數(shù)據(jù)讀取出來。片選信號CEBA 置為低電平,讀控制電路運作。與寫操作相同,10 位讀地址線AA0-AA9 提前準(zhǔn)備就緒,經(jīng)過譯碼器選擇指定的存儲單元;同時讀位線RBL 被預(yù)充電到高電平。預(yù)充電一段時間后時鐘信號CKA 到來,譯碼完成,打開指定存儲單元的讀字線RWL,對存儲單元進行讀操作。此時靈敏放大器被激活,讀位線RBL 上的電壓變化會傳遞到靈敏放大器中,靈敏放大器可以根據(jù)RBL的電壓變化情況把結(jié)果送到輸出電路,輸出的二進制序列從端口DO0-DO15 讀出,從而讀出特定存儲單元的數(shù)據(jù)。

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