小編給大家分享一下讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結構的示例分析，相信大部分人都還不怎么了解，因此分享這篇文章給大家參考一下，希望大家閱讀完這篇文章后大有收獲，下面讓我們一起去了解一下吧！

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MRAM因具有許多優(yōu)點,有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。然而MRAM寫入操作的長延時和較高的功耗成為其瓶頸，阻礙了其性能的進一步提高。讀取優(yōu)先的寫緩存器和SRAM-MRAM混合結構這兩種策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。
 
讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結構
直接用MRAM代替SRAM可能導致性能下降。因此提出了用兩種策略來緩解這個矛盾:一是引入讀取優(yōu)先的寫入緩沖器;二是引入SRAM-MRAM混合結構。二者可以結合起來以改善MRAM高速緩存的性能。
 
讀取優(yōu)先的寫入緩沖器
因為L2高速緩存從上一級存儲器和寫入緩沖器獲取命令，必須有一個優(yōu)先權策略來解決讀取和寫入命令的沖突。對于MRAM高速緩存,寫入延時遠大于讀取延時,因此應防止寫入操作阻塞讀取操作。
 
提出兩條規(guī)則來確保讀取操作的優(yōu)先權:
(1)讀取操作總是具有高于寫入操作的優(yōu)先權。
 
(2)當寫入操作阻塞了讀取操作且寫入緩沖器未滿,在滿足特定優(yōu)先條件下，讀取命令可以使當前寫入操作中止。然后讀取命令獲得執(zhí)行權力。被中止的寫入操作稍后重試。用完成度α作為優(yōu)先條件,完成度低于α時讀取命令不會獲取優(yōu)先權。經(jīng)模擬定α為50%可以滿足各種工作條件。實現(xiàn)這一策略需要一個計數(shù)器,當寫入開始時從O開始計數(shù)。高速緩存控制器檢查計數(shù)器然后決定是否中止當前寫入操作來執(zhí)行讀取操作。與直接用MRAM取代SRAM的方案相比，這一策略消除了性能上的退步，但是功耗增加了,因為部分寫入操作需要重新執(zhí)行。
 
SRAM-MRAM混合結構的L2高速緩存
研究者提出用SRAM-MRAM混合結構取代純粹的MRAM存儲器,其中SRAM只占一小部分。其主要目的是盡量使寫入操作集中到SRAM而減少了MRAM中的寫入操作數(shù)量。
 

圖1SRAM-MRAM混合結構

 
如圖1所示,研究者減少了部分MRAM,代之以sram ,并且將所有SRAM單元集中到一起在處理器層上構建了若干個完整的SRAM組。SRAM組放置在處理器層的中央而不是分散放置，這樣處理器層的面積會增加而高速緩存層的面積會減少。
 
給出了幾個混合結構的管理策略:
(1)高速緩存控制器需要知道SRAM和MRAM的位置。當出現(xiàn)寫入失誤時,控制器優(yōu)先考慮將該數(shù)據(jù)放入SRAM。
(2)考慮到處理器反復將數(shù)據(jù)寫入某些單元的可能性,這些數(shù)據(jù)若在MRAM中需移入SRAM中。如果數(shù)據(jù)連續(xù)經(jīng)歷兩次寫入操作，則這些數(shù)據(jù)需要被移入SRAM中。
(3)注意到處理器的讀取操作同樣可能引起數(shù)據(jù)的轉移,而且其次數(shù)可能大于寫入操作。因此引入一個新的數(shù)據(jù)移動策略。對于傳統(tǒng)的管理策略,數(shù)據(jù)會被移動到host組，而適應于混合結構的策略把數(shù)據(jù)移入SRAM中。
(4)結果顯示混合結構平均提高性能5.65% ,使平均總功耗降低了12.45%。

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當前標題：讀取優(yōu)先和SRAM-MRAM混合結構的示例分析
本文路徑：http://jinyejixie.com/article32/ggeosc.html

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