最近的工作一直跟flash打交道，讀flash，寫flash，出于強迫癥總結(jié)一下。

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    存儲器總的分為兩大類：掉電不丟失數(shù)據(jù)、掉電丟失數(shù)據(jù)。

一、掉電不丟失數(shù)據(jù)（ROM）術(shù)語：非易失性存儲器

ROM一般存的是固件，比如PC，BIOS.系統(tǒng)的引導(dǎo)程序（boot）。

1、ROM(只讀存儲器)中的PROM（可編程ROM）

只能被擦除一次（每個存儲單元有一種熔絲，只能用高溫熔斷一次）

2、ROM(只讀存儲器)中的EPROM（可編程ROM）

能擦除1000多次，用紫外線擦除。

3、ROM(只讀存儲器)中的EEPROM（可編程ROM）

能擦除很多很多次，電可擦除，比EPROM好太多。

4、flash（閃存，基于EEPROM）

最近一直在操作這個玩意，flash會被等分成若干的扇區(qū)（根據(jù)flash大小）。

1）不同的flash有不同的扇區(qū)大小，然后將flash等分成若干扇區(qū)；

2）不同的flash有不同的大讀寫塊，最小一般按字節(jié)讀寫；我最近搞兩種，一種國外的大讀寫就是一個扇區(qū)0x20000，一種是臺灣的大讀寫是64字節(jié)。

5、固態(tài)硬盤（SSD，基于flash）

固態(tài)硬盤和磁盤一個地位，但是比磁盤最主要的區(qū)別就是快，當然也就貴很多。

6、磁盤存儲

磁盤是由盤片構(gòu)成。每個盤片有兩面或者稱為表面，表面覆蓋著磁性記錄材料。

二、掉電丟失數(shù)據(jù)（RAM隨機訪問存儲器）術(shù)語：易失性存儲器

1、SRAM（靜態(tài)RAM）

SRAM用來做高速緩存（位于主存和cpu寄存器中間），高速緩存分為L1，L2,L3，三級。L1高速緩存比L2高速緩存快但比L2??；二者是靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）硬件實現(xiàn)；比較新的處理器有三級緩存，L1.L2.L3

2、DRAM（動態(tài)RAM）

DRAM用來實現(xiàn)主存，電腦或手機說的1g，4g運行內(nèi)存就是主存（DRAM）,64g,128g說的就是硬盤/FLASH/固態(tài)硬盤。

三、存儲器的層次結(jié)構(gòu)

四、各個部分在設(shè)備的體現(xiàn)

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