本篇文章給大家分享的是有關(guān)如何解決MRAM壽命問題，小編覺得挺實(shí)用的，因此分享給大家學(xué)習(xí)，希望大家閱讀完這篇文章后可以有所收獲，話不多說，跟著小編一起來看看吧。

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MRAM是一種非易失性磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM存儲(chǔ)芯片的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)DRAM的高集成度，并可以無限次地重復(fù)寫入。MRAM工作的基本原理與硬盤驅(qū)動(dòng)器類似，與在硬盤上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方商為依據(jù)，存儲(chǔ)為0或1。它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場(chǎng)影響，才會(huì)改變這個(gè)磁性數(shù)據(jù)。因?yàn)檫\(yùn)用磁性薦儲(chǔ)數(shù)據(jù)，所以MRAM在容童成本上有了很大的降低。本篇文章由專注于代理銷售Everspin MRAM等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商介紹如何解決MRAM壽命問題。
 
在高密度MRAM模塊中會(huì)遇到磁介質(zhì)的不規(guī)則漩渦，這種漩渦引起了磁極的老化，甚至導(dǎo)致讀寫錯(cuò)誤。這也就是說，MRAM的壽命和穩(wěn)定性會(huì)隨著MRAM容量的增加而面臨嚴(yán)峻的考驗(yàn)。為此VERTICAL RING GMRCELLS技術(shù)（垂直環(huán)繞巨磁阻單元）臨危授命，很明顯VRGC讓磁層有了軟硬之分。大家可不要小看這一簡(jiǎn)單的變化，這樣垂直排列的巨磁阻會(huì)將不規(guī)則漩渦基本消除，很有效地解決了MRAM的老化問題。此外為了加強(qiáng)MRAM的穩(wěn)定性，避免讀寫錯(cuò)誤，VRGC技術(shù)在每一基本單元額外加入了一對(duì)平行字符線，這有點(diǎn)類似目前普遍應(yīng)用于服務(wù)器內(nèi)存的校驗(yàn)功能。

以上就是如何解決MRAM壽命問題，小編相信有部分知識(shí)點(diǎn)可能是我們?nèi)粘９ぷ鲿?huì)見到或用到的。希望你能通過這篇文章學(xué)到更多知識(shí)。更多詳情敬請(qǐng)關(guān)注創(chuàng)新互聯(lián)行業(yè)資訊頻道。

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